最小化场阑igbt的缓冲区及发射极电荷差异的方法

Method of minimizing field stop insulated gate bipolar transistor (IGBT) buffer and emitter charge variation

Abstract

本发明提出了一种在半导体衬底中形成的绝缘栅双极晶体管(IGBT)。该IGBT含有一个第一导电类型的缓冲层,在第一导电类型的外延层下方形成,具有本体和源极区。该IGBT还包括一个在缓冲层下方的轻掺杂的衬底层,以及一个第二导电类型的掺杂层,沉积在轻掺杂的衬底层下方以及所述的IGBT的漏极电极上方,贴装到所述的半导体衬底的底面上,其中第二导电类型的掺杂层的掺杂浓度高于轻掺杂的衬底层。

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